En Si- kaj FeSi-produktado, la ĉefa Si-fonto estas SiO2, en formo de kvarco.Reagoj kun SiO2 generas SiO-gason kiu plu reagas kun SiC al Si.Dum hejtado, kvarco transformiĝos al aliaj SiO2-modifoj kun kristobalito kiel la stabila alt-temperatura fazo.Transformo al kristobalito estas malrapida procezo.Ĝia indico estis esplorita por pluraj industriaj kvarcofontoj kaj pruviĝis varii konsiderinde inter la malsamaj kvarcospecoj.Aliaj diferencoj en konduto dum hejtado inter tiuj kvarcofontoj, kiel ekzemple moliga temperaturo kaj volumena vastiĝo, ankaŭ estis studitaj.La kvarco-kristobalita rilatumo influos la rapidecon de reagoj implikantaj SiO2.La industriaj sekvoj kaj aliaj implicoj de la observita diferenco inter kvarcospecoj estas diskutitaj.En la nuna laboro, nova eksperimenta metodo estis evoluigita, kaj esploro de pluraj novaj kvarcfontoj konfirmis la pli frue observitan grandan variadon inter malsamaj fontoj.La ripeteblo de la datenoj estis studita kaj la efiko de gasa atmosfero esplorita.La rezultoj de la pli frua laboro estas inkluzivitaj kiel bazo por la diskuto.
Kunfandita kvarco havas bonegajn termikajn kaj kemiajn ecojn kiel krisolmaterialo por unukristala kresko de fandado, kaj ĝia alta pureco kaj malalta kosto faras ĝin speciale alloga por la kresko de altpuraj kristaloj.Tamen, en la kresko de certaj specoj de kristaloj, tavolo de pirolita karbona tegaĵo estas necesa inter la fandado kaj la kvarca fandujo.En ĉi tiu artikolo, ni priskribas metodon por apliki pirolizan karbonan tegaĵon per vakua vaportransporto.La metodo pruviĝas esti efika en cedado de relative unuforma tegaĵo sur larĝa gamo de krisolgrandecoj kaj formoj.La rezulta piroliza karbona tegaĵo estas karakterizita per optikaj malfortiĝmezuradoj.En ĉiu tegprocezo, la dikeco de tegaĵo pruviĝas alproksimiĝi al fina valoro kun eksponenta vosto kiam la tempodaŭro de pirolizo pliiĝas, kaj la meza dikeco malglate pliiĝas linie kun la rilatumo de la volumeno de havebla heksanvaporo al la surfacareo de piroliza. tegaĵo.Kvarcaj krisoloj kovritaj per ĉi tiu procezo estis uzataj por sukcese kreski ĝis 2-en-diametraj Nal-unuokristaloj, kaj la surfaca kvalito de Nal-kristalo estis trovita pliboniĝi kiam la dikeco de tegaĵo pliiĝas.
Afiŝtempo: Aŭg-29-2023